几个月前，三星开始批量生产其首款TLC(三层单元)第9代V-NAND，位密度提高了50%。今天，该公司宣布批量生产QLC第9代V-NAND，为AI应用提供高性能和节能运行。QLCV-NAND是通过多种技术的组合生产的，从而实现了目前最高的层数。

QLC或四级单元V-NAND引入通道孔蚀刻、设计模具和预测程序，以确保内存能够在紧凑的尺寸内达到高密度，同时为读写操作提供更好的可靠性。

执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示，

在TLC版本推出仅四个月后，QLC第九代V-NAND就成功量产，使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求，

他还表示，随着企业级SSD市场快速增长，对运行AI应用程序的更好硬件的需求不断增加，三星的使命是巩固其在存储领域的领导地位。为了确保公司领先于竞争对手，QLC第9代V-NAND将从品牌消费产品开始，将产品线扩展到UFS、PC和服务器SSD。

采用三星的通道孔蚀刻技术，以双层结构实现业内最高层数

QLCV-NAND密度比上一代QLCV-NAND高86%

采用设计模具与以前的版本相比，数据保留性能提高了约20%，从而提高了产品可靠性。

三星QLC第九代V-NAND通过该技术的进步，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。

采用低功耗设计技术，数据读写功耗分别降低约30%和50%。

通过通道孔蚀刻，该公司可以创建垂直通道，以允许在堆叠的V-NAND单元中传输数据。借助这项技术，三星可以提供比以前的NAND存储器更高的层数。此外，借助双层堆栈结构，存储器层将在内排列成两个单独的堆栈，从而确保产生更少的热量，同时密度提高86%。

接下来是设计模具技术，它将调整字线的间距并确保跨层单元的一致性。这将帮助QLCV-NAND实现一致且可靠的性能，使数据保留率提高近20%。使用的另一项技术是预测程序，它将优化将数据写入NAND单元的方式。这将通过预测写入操作期间单元的状态来防止不必要的更改，从而使读取和写入数据的性能提高约60%。

三星正在通过提供节能、高性能的NAND来满足人工智能市场的需求，同时也在扩大其移动和计算设备的产品线。